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    產(chǎn)品中心

    SP6649P

    是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置650V高壓功率MOSFET,芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時(shí)的損耗,提高整機(jī)的工作效率。

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           SP6649P是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置650V高壓功率MOSFET,芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時(shí)的損耗,提高整機(jī)的工作效率。

           SP6649P在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流,可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻,以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。

           SP6649P內(nèi)置多種保護(hù),包括逐周期限流保護(hù)(OCP),過載保護(hù)(OLP),過壓保護(hù)(VDD OVP),VDD過壓箝位,欠壓保護(hù)(UVLO),過溫保護(hù)(OTP)等,通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制。

           SP6649P采用DIP8封裝。


    典型應(yīng)用框圖

    功能

     ● 全電壓范圍輸入時(shí)待機(jī)功耗小于75mW

     ● 內(nèi)置650V高壓功率管

     ● 軟啟動(dòng)可用來減少M(fèi)OSFET上Vds的應(yīng)力

     ● 抖頻功能,改善EMI性能

     ● 跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗

     ● 無噪聲工作

     ● 固定65KHz開關(guān)頻率

     ● 內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償

     ● 低啟動(dòng)電流,低工作電流

     ● 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能

     ● 過載保護(hù)(OLP),逐周期限流保護(hù)(OCP)

     ● VDD過壓保護(hù)(VDD OVP),欠壓保護(hù)(UVLO),VDD電壓箝位,過溫保護(hù)(OTP)

    應(yīng)用

     ● 充電器

     ● PDA、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)電源適配器

     ● 機(jī)頂盒電源

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